深圳基本半導體有限公司致力于從事碳化硅功率器件的研發與產業化，在深圳南山、深圳坪山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心成員由劍橋大學、清華大學等知名高校的十三位博士組成。 基本半導體掌握國際領 先的碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等產業全鏈條，先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、首 款國產通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規級全碳化硅功率模塊等系列產品，性能達到國際先進水平，應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業控制、國防軍工等領域。 基本半導體與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心，是深圳第三代半導體研究院發起單位之一，廣東省未來通信高端器件創新中心股東單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心，產品榮獲“中國芯”優秀技術創新產品獎、中國創新創業大賽專業賽一等獎等榮譽。